由于科技的日新月异，半导体芯片已愈朝微小化加以发展，而芯片多半是具有不
同的功效的电子组件，这些电子组件通常是使用焊锡加以焊接在设有电子回路的基板上，这样可使电子组件正常的运作，然而由于电子组件的微小化，芯片生产过程中产生的杂质会严重影响芯片的质量。因此，去除芯片生产过程中的杂质就是十分必要的。
w3200是款中性型水基清洗剂，用于去除pcba、封装器件、功率电子上的助焊剂、焊锡膏、锡膏残留。该产品能够有效去除多种半导体电子器件上的锡膏、焊锡膏、助焊剂残留，对于倒装芯片、半导体封测水基清洗、pop堆叠芯片、sip系统封装、半导体芯片、半导体功率器件、功率模块（光电模块、传感模块、通讯模块）、功率电子、igbt功率模块、dcb功率清洗、引线框架、bga植球后清洗、分立器件、电子元器件等有着的清洗效果。
半导体器件组装后芯片的清洗工装，包括自前向后依次设置的两超声溢水
装置、两超声丙酮脱水装置和烘干箱，所述超声溢水装置包括溢水槽，溢水槽上设有溢水电阻，溢水槽内设有超声波发振器，所述溢水槽还连接溢水槽进水管，所述溢水槽进水管端通入到溢水槽底部，另端连接水源；所述超声丙酮脱水装置包括丙酮脱水槽，丙酮脱水槽内设有超声波发振器和丙酮液，在超声溢水装置前侧设有喷淋装置，所述喷淋装置包括喷淋槽，所述喷淋槽的底部设有排水口，喷淋槽内设有若干喷淋头，所述喷淋头的部设有喷水口，底部连接喷淋槽进水管。
sip、pop或igbt密器件所需要的洁净度技术指标
先要关注到所生产的sip、pop或igbt密器件所需要的洁净度技术指标，根据洁净度的要求来做清洗的工艺选择。所从事的产品类别不同，应用场景不同，使用条件和环境不同，对器件洁净度的要求也有所不同，根据器件的各项技术要求来决定洁净度指标。包括外观污染物残留允许量和表面离子污染度指标水平，才能准确定义器件工艺制程中所要达到的洁净度要求。避免可能的电化学和化学离子迁移失效现象。
水基清洗的工艺和设备配置选择
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗密器件尤其重要，旦选定，就会作为个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的工艺流程。通常会选用批量式清洗工艺和通过式清洗工艺。批量式清洗工艺比较适合产量不太稳定，时有时无，时大时小，品种变化比较多，这样有利于根据生产线流量配置进行灵活操作，降低设备的消耗和清洗剂的消耗，降低成本而达到工艺技术要求。通过式清洗工艺往往适合产量稳定，批量大，能够连续不断的进行清洗流量的安排，实现高速高效率的产品生产，清洗质量。根据产品的结构形式和器件材料承受物理力的耐受程度，选择超声波工艺方式或喷淋工艺方式。
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功率器件和半导体封装前通常会使用助焊剂和锡膏等作为焊接辅料，这些辅料在焊接过程或多或少都会有部分残留物，还包括制程中沾污的指印、汗液、角质和尘埃等污染物。同时，功率器件和半导体的引线框架组装了铝、铜、铂、镍等敏感金属等相当脆弱的功能材料。这些敏感金属和特殊功能材料对清洗剂的兼容性提出了很高的要求。