图1 三层堆叠结构的固体摄像元件中的连接构造图
图1是此发明提出的三层堆叠结构的固体摄像元件连接构造图,从图中可以看到,固体摄像元件500由第一层基板501、第二层基板502和第三层基板503彼此堆叠而得到的三层堆叠结构构成。其中,在三层结构之间依次设有传感器电路、逻辑电路以及存储器电路。在第一层基板501中,布线层512和平坦化膜513分别堆叠在硅基板511的表面侧和背面侧上。而且焊盘孔515从背面侧穿过第一层基板501并在布线层512中的形成铝焊盘514。接下来是第二层基板502,布线层522堆叠在硅基板521的背面侧上,同时布线层523堆叠在硅基板521的表面侧上。在第二层基板502中,布线层522和523分别形成具有背面侧的铝焊盘524以及表面侧的铝焊盘525。由于该层基板位于三层堆叠结构之间,所以其接触部526可以用来连接第一层基板501和第三层基板503。除此之外,第二层基板502中还有背面侧的铝焊盘524、表面侧的铝焊盘525、以及接触部527,这些接触部可以连接用于构成第二层基板502中的逻辑电路的晶体管。最后就是第三层基板503,其构造使得布线层532堆叠在硅基板531的表面侧上,布线层533堆叠在布线层532上。除此之外,布线层533形成了铝焊盘534,布线层532中还包含连接第三层基板503中的存储器电路的连接导体535。从整体来看,第一、二层基板和第二、三层基板间分别通过接合表面291以及292贴合,从而构成固体摄像元件500。索尼的此项专利,可以充分地利用焊盘孔下层的区域,在与传统的三层堆叠结构的固体摄像元件相比时,能够增大基板的利用效率。此外,在第二半导体基板或第三半导体基板内,置有构成测量端子的金属元件,并且第一半导体基板是在执行预定测量之后才被堆叠的,因此可以极大地降低测量时间。在智能手机能够使用的cmos体积上,索尼三层堆叠结构已经将画质提升到了结构、体积限制下能够达到的极致,那么后续索尼在图像传感器上还会有哪些大动作呢?让我们拭目以待。